Лаборатория Ленгмюра-Блоджетт
Факторы, влияющие на качество пленок Ленгмюра-Блоджетт
Методика получения пленок Ленгмюра-Блоджетт включает множество элементарных технологических операций (т.е. элементарных воздействий на систему извне), в результате которых в системе “субфаза - монослой - газ - подложка” имеют место структуроформирующие процессы, определяющие в конечном счете качество и свойства мультиструктур.
Фактор качества пленок Ленгмюра-Блоджетт можно выразить:
К = f( Коб, Ктех, Кв, Кмс, Кп ) ,
где: Коб - оборудование (исполнительные устройства и “активные” средства контроля - измерительные устройства); Ктех - технологическая чистота; Кв - физико-химическая природа ПАВ; Кмс - фазовое состояние монослоя на поверхности субфазы; Кп - природа и тип подложки. Первые два фактора относятся к конструкторско-технологическим, а остальные - к физико-химическим.
В группу конструктивно-технологические входят факторы технологической чистоты и оборудования.
Установка для синтеза пленок Ленгмюра-Блоджетт содержит измерительные и исполнительные устройства.
Измерительные устройства контролируют параметры технологического процесса. Для получения пленок высокого структурного совершенства необходим контроль следующих параметров:
in situ
-
поверхностное натяжение в монослое,
-
уровень субфазы,
-
коэффициент переноса, характеризующий наличие дефектов в ПЛБ;
in vitro
Исполнительные устройства включают устройства перемещения подложки и перемещения подвижного барьера. Требования, предъявляемые к ним при формировании мультиструктур следующие:
-
отсутствие механических вибраций,
-
постоянство скорости перемещения образца,
-
постоянство скорости перемещения барьера.
Поддержание высокого уровня технологической чистоты (Ктех) обеспечивается:
-
контролем чистоты исходных материалов (использование деионизованной воды с
=18МOм*см в качестве основы субфазы, приготовление растворов ПАВ и электролитов из реагентов квалификации ч.д.а. непосредственно перед их применением);
-
проведением подготовительных операций, таких, как травление и отмывка подложек по методике и на технологическом оборудовании, используемом в микроэлектронном производстве;
-
предварительной очисткой поверхности субфазы;
-
созданием в рабочей зоне установки квазизамкнутого объема (защитный колпак);
-
проведением всех работ в специализированном помещении с искусственным климатом - “чистой комнате”.
В группу физико-химических входят факторы:
-
Кв, учитывающий физико-химическую природу поверхностно-активного вещества;
-
Кмс, учитывающий фазовое состояние монослоя на поверхности субфазы;
-
Кп, определяющий взаимосвязь между природой подложки, микрошероховатостью ее поверхности и качеством формируемой мультиструктуры.
Фактор Кв характеризует такие индивидуальные свойства вещества (ПАВ), как:
-
структура (геометрия) молекулы, определяющая соотношение гидрофильных и гидрофобных взаимодействий между молекулами самого ПАВ и молекулами ПАВ и субфазы;
-
растворимость ПАВ в воде;
-
химические свойства ПАВ (например, способность к образованию межмолекулярных ковалентных связей при внешнем энергетическом воздействии, приводящем к полимеризации ПАВ, которая изменяет его механические и физические свойства);
-
способность к образованию связей с металлами.
Автоматизированная установка Ленгмюра-Блоджетт
Разработанная и изготовленная автоматизированная установка для получения моно- и мультислойных органических структур методом Ленгмюра-Блоджетт представлена на рисунке.

Под защитным колпаком 1 размещена симметричная двухсекционная фторопластовая кювета 2 на антивибрационном столе 11, по бортам которой осуществляется встречносогласованное передвижение фторопластовых барьеров 5. Поверхностное давление на границе раздела “субфаза 4 - газ” контролируется электронным датчиком поверхностного давления 6. Блок управления 7 связан с двигателем перемещения барьеров 8 и обеспечивает поддержание заданного поверхностного давления (определяемого из изотермы сжатия и соответствующего упорядоченному состоянию монослоя) в процессе переноса монослоя на поверхность подложки. Подложка
3 фиксируется в держателе под определенным углом к поверхности субфазы и перемещается гидравлическим устройством 10 (оснащенное механизмом переноса подложки между секциями кюветы) с помощью привода 9. Перед технологическим циклом осуществляется предварительная подготовка поверхности субфазы устройством очистки 12 посредством насоса 13. Установка автоматизирована и оснащена IBM - совместимой персональной ЭВМ 14.
Действие датчика поверхностного давления 6 основано на принципе измерения усилия необходимого для компенсации воздействия на пластинку Вильгельми силы поверхностного давления на границе
раздела “субфаза-газ”. Ширина пластинки Вильгельми равна 10 мм. Диапазон измерений датчика поверхностного давления составляет
= (0-100) мН/м. Точность измерения поверхностного давления составляет 0.01 мН/м.
Фторопластовая кювета имеет следующие размеры:
Диапазон скоростей перемещения барьеров и подложки соответственно:
VБ=(0.8-8.0) см/мин и VП=(0.006-2.0) см/мин.
На плате сопряжения с ЭВМ для преобразования входных сигналов поверхностного давления и координаты барьеров используется шестнадцатиразрядный АЦП, быстродействие которого составляет 50 мс.
Для преобразования выходных сигналов управления движением барьеров и подложки – двенадцатиразрядный ЦАП.
Блок управления 7 поддерживает следующие режимы работы:
Программное обеспечение предоставляет следующие возможности:
-
калибровка датчика поверхностного давления;
-
управление и задание скоростей движения барьеров и подложки;
-
регистрация
-А изотерм сжатия, гистерезиса и стабильности монослоев (зависимости
-t при S=const, S-t при
=const), расчет эффективной площади приходящейся на молекулу (мономерное звено) АМФВ в монослое, сжимаемость монослоя находящегося в определенном фазовом состоянии и модуль сжатия, d
/dA.
-
управление процессом переноса, задание скоростей движения подложки и длительности задержек,
регистрация зависимостей
-А,
-t и S-t в процессе переноса,
расчет коэффициента переноса.
-
многозадачный режим;
-
многостраничный графический интерфейс;
-
сохранение данных на жестком диске в файлах оригинального формата и возможность доступа к ним с помощью файлера;
-
возможность сохранения графиков указанных зависимостей в файлах графического формата PCX;
-
возможность экспорта данных в текстовый формат TXT.
Наличие у представленной лабораторной установки двухсекционной кюветы, механизма переноса подложки между секциями и двух независимых каналов управления позволяет получать смешанные ПЛБ, состоящие из монослоев различных веществ.
Симметричная конфигурация кюветы, которая позволяет производить сжатие монослоя встречно движущимися фторопластовыми барьерами, дает возможность работать с веществами
образующими жесткие монослои.
Функциональные возможности
Точность измерений характеристик монослоя, чистоты используемых веществ и условий проведения эксперимента иллюстрируют полученные нами
-А изотермы классических для технологии ЛБ АМФВ - стеариновая (CH3(CH2)16COOH
(HSt)) и бегеновая (CH3(CH2)20 COOH
(HBeg)) кислоты и стеарата свинца (Pb[CH3(CH2)16COO]2
(PbSt2)).
В качестве субфазы использовалась деионизованная вода (
=18 МОм*см) с
pH=5.5. Растворы ПАВ приготавливали непосредственно перед их применением. Для низкомолекулярных веществ систематическая ошибка определения площади, приходящейся на молекулу, составляла
±1.5%.
На полученных нами изотермах сжатия четко фиксируются известные точки фазовых
переходов (по классификации приведенной в работах [1, 2]) в монослоях: фазовый переход L2
LS для стеариновой кислоты и фазовые переходы
L2
L2’,
L2’
S и S
CS для бегеновой кислоты.

Изотермы сжатия монослоев стеариновой (HSt), бегеновой (HBeg) кислот и стеарата свинца (PbSt2) при Т=21С.
Условия получения изотерм сжатия:
HSt: субфаза - вода; концентрация раствора HSt в бензоле C=0.8 мг/мл; площадь, приходящаяся на молекулу в монослое до сжатия Ai=0.70 нм2/молекулу; время испарения растворителя tисп=15 мин.;
скорость сжатия монослоя V=0.030 нм2/(молек./
мин.).
HBeg: субфаза - вода; концентрация раствора HBeg в бензоле C=0.2 мг/мл; площадь, приходящаяся на молекулу в монослое, до сжатия Ai=0.50 нм2/молекулу; время испарения растворителя tисп=15 мин.;
скорость сжатия монослоя V=0.030 нм2/(молек./
мин.).
HSt(Pb): субфаза - раствор Pb(NO3)2
в концентрации 3*10-5 моль/л; концентрация раствора HSt в бензоле C=0.8 мг/мл; площадь, приходящаяся на молекулу в монослое, до сжатия Ai=0.70 нм2/молекулу; время испарения растворителя tисп=15 мин.;
скорость сжатия монослоя V=0.024 нм2/(молек./
мин.).
Кроме того, на вертикальном участке изотермы сжатия HSt наблюдается небольшой перегиб, отвечающий фазовому переходу LS
S, который редко фиксируется по изотермам сжатия, а определяется по изменению вязкоупругих свойств монослоя.
Линейные участки на зависимости
-А, отвечающие сжатию монослоя в различных фазовых состояниях, характеризуются величиной А0- площадью приходящейся на молекулу в монослое, полученной экстраполяцией линейного участка на ось А (
=0 мН/м). Для линейных участков изотермы сжатия, можно рассчитать такие характеристики монослоя, как сжимаемость (К) и модуль сжатия (c):
,
где (Аn,
n) и (Аn-1,
n-1) - координаты начала и конца линейного участка;
=1/K. Полученные нами значения приведены в таблице и хорошо совпадают с приведенными в литературе [3].
Фазовое состояние монослоя |
А0, нм2/молекулу
|
К, м/мН |
Литературные данные |
По представленным изотермам |
По представленным изотермам |
HSt |
HBeg |
HSt |
HBeg |
L2 |
0.230-0.240 |
0.239 |
0.237 |
8.05*10-3 |
8.82*10-3 |
L2’ |
0.220-0.230 |
- |
0.220 |
- |
7.69*10-3 |
LS |
0.195-0.205 |
0.202 |
- |
1.02*10-3 |
- |
S |
0.185-0.200 |
0.200 |
0.190 |
8.30*10-4 |
9.80*10-4 |
CS |
0.185-0.190 |
- |
0.188 |
- |
8.00*10-4 |
Площади, приходящиеся на молекулу в монослое, в фазах LS, S, CS свидетельствуют об образовании в монослое плотной упаковки углеводородных цепочек. Так как, согласно данным рентгеноструктурного анализа n-парафинов, площадь сечения элементарной ячейки, перпендикулярного оси молекулы составляет: 0.185 нм2 (ромбическая ячейка), 0.187 нм2 (триклинная ячейка), 0.202 нм2 (гексагональная ячейка) [4].
Структурное совершенство полученной 4х-слойной ПЛБ (давление переноса
=30 мН/м) стеарата свинца на подложке, представляющей собой кремниевую пластину (111) с эпитаксиальным слоем и специально подготовленной поверхностью, подтверждается данными ДОБЭ
(а) и атомно-силовой микроскопии (б) [5].

Таким образом, автоматизированная установка Ленгмюра-Блоджетт позволяет работать с широким кругом веществ: низкомолекулярные и высокомолекулярные, нерастворимые и ограниченно растворимые. Аппаратура обеспечивает высокую точность контроля всех стадий процесса и может быть успешно использована для целей современной нанотехнологии.
-
Stenhagen E. Determination of organic structures by physical method. New York: Acad. Press. Inc., 1995, p.
325-368.
-
Lundqist M. Condensed phases in insoluble monomolecular films on water. Suomen Kemists. 1963, v. 72, №1, p.
114-27
-
А.А. Абрамзон, С.И. Голоудина. Об агрегатном состоянии монослоев ПАВ на поверхности жидкости. В кн. Успехи коллоидной химии.-Л.: Химия, 1991, стр. 239-261
-
Китайгородский А.И. Молекулярные кристаллы. -М.: Наука, 1971,
стр. 424
-
П.П. Карагеоргиев, В.В. Лучинин и др. Переходные слои в пленках Ленгмюра-Блоджетт.
Кристаллография, 1998, т. 43, №6, с. 1027-1036