Тезисы стендового доклада на 4-ой молодежной школе по твердотельной электронике "Нанотехнологии, наноструктуры и методы их анализа". Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 20-22 ноября 2001г
Козодаев Д.А, Пасюта В.М.
Применение пленок Ленгмюра-Блоджетт полиимидов для увеличения стабильности электретного эффекта в SiO
2.
Высокие диэлектрические и механические характеристики, химическая стабильность полиимидов обусловливают их широкое применение в различных областях электроники. Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт (ПЛБ) осуществляют в две стадии. Сначала получают монослои на поверхности воды из алкиламмонийной соли полиамидокислоты (сПАК). После их перенесения ни твердую подложку проводят
термическую или химическую имидизацию.Использованная в работе сПАК получалась взаимодействием ПАК ДФ-ОТД (синтезированной в ИВС РАН) и третичного амина. На поверхности подложки кремния со слоем диоксида методом Ленгмюра-Блоджетт сформирована однородная по толщине ПЛБ сПАК. Пленки ПИ получали в результате термической имидизации ПЛБ сПАК.
Получены ПЛБ полиимида (ПИ) ДФ-ОТД (термостабильность до 560
° С, КТР - 0.55ґ 10-5 1/град) толщиной 1.0ё 3.5 нм. Толщина пленок контролировалась по коэффициенту переноса К@ 1 монослоя сПАК, а для ПЛБ сПАК толщиной свыше 5 нм измерялась методом эллипсометрии.Полученные ПЛБ использовались в качестве пассивирующих слоев на подложках из диоксида кремния, электризованного в коронном разряде с целью увеличения стабильности электретного эффекта. Исследования по изотермической релаксации потенциала проводились в нормальных лабораторных условиях и в условиях повышенной влажности. Электретные структуры, пассивированные ПИ, показали наилучшие результаты по сравнению со структурами гидрофобизированными гексаметилдисилазаном и диметилдихлорсиланом. Уменьшение отрицательного заряда составило 5.4% в нормальной атмосфере и 25.1% в условиях повышенной влажности в течении 60 суток.
Были проведены исследования по термоактивационной спектроскопии для определения электрофизических параметров центров захвата заряда в структурах SiO
2-ПЛБ ПИ. Установлено, что пленки ПИ вносят дополнительные энергетические уровни в квазидвумерные энергетические распределения электрически активных дефектов, максимум энергии активации EА которых имеет величину 1.0 и 1.2 эВ и эффективный частотный фактор w = 8Ч 106 с-1 и 5Ч 106 с-1 для положительного и отрицательного заряда соответственно.
Стендовый доклад -
документ PDF - * k